檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and year="104"
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近年來因應商品需求，電源設計的功率密度要求越來越高，高頻化演變成一種趨勢，而氮化鎵半導體的出現，為高頻應用帶來新的突破。隨著氮化鎵技術穩定發展，元件可靠度也較以往高，對於不同需求的規格提供了更多選擇…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓，製作兩種不同種類的光偵測器，第一種為p-i-n結構光偵測器，第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器，後者使用矽擴散的…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟，除了穩定性提高外，更有適用於不同需求的規格可供選擇，在許多方面都比現有的矽功率開關還要有更佳的特性，得以使電路操作在更高的頻率上。 因此本文將氮化鎵電…